多家企业密集公示 Micro LED 专利，引领行业技术创新

近期，兆驰半导体、高科华烨、高科视像等行业内的重要企业纷纷公示 Micro LED 相关专利，其涵盖的 MiP、芯片、外延片等技术，在 Micro LED 领域引发广泛关注。​
兆驰半导体：三项 Micro LED 专利迈向授权​
兆驰半导体在 Micro LED 技术研发方面成果斐然，近期有三项 Micro LED 专利成功进入有效授权阶段，这些专利主要聚焦于 Micro LED 外延片以及芯片制造领域。​
提升低电流光效的外延片专利​
4 月 1 日，一项名为 “microled 外延片及其制备方法、MicroLED 芯片” 的专利进入有效授权阶段。该发明隶属于光电技术领域，所公开的 Micro LED 外延片具备独特结构。其包含衬底，在衬底之上依次设置有缓冲层、N 型 GaN 层、多量子阱层、P 型 GaN 层。其中，第一多量子阱层由至少一组依次层叠的第一 InGaN 量子阱层、第一 AlGaN/GaN 超晶格层和第一 GaN 量子垒层构成；第二多量子阱层由至少一组依次层叠的第二 InGaN 量子阱层、第二 AlGaN/GaN 超晶格层和第二 GaN 量子垒层组成；第三多量子阱层则由至少一组依次层叠的第三 InGaN 量子阱层、空穴注入层和第三 GaN 量子垒层搭建。凭借这样的设计，此 Micro LED 外延片能够显著提高 Micro LED 芯片在低工作电流密度下的光效，为相关产品在节能高效运行方面提供了有力技术支撑。​
提升发光效率的两项专利​

早在 3 月 18 日，“Micro - LED 外延片及其制备方法、Micro - LED” 以及 “高光效 Micro - LED 外延片及其制备方法、Micro - LED” 这两项专利就已进入有效授权阶段，它们的共同特点是均可提升发光效率。​
其中，“Micro - LED 外延片及其制备方法、Micro - LED” 专利下的 Micro‑LED 外延片结构依次为衬底、N 型 GaN 层、第一多量子阱层和 P 型 GaN 层，第一多量子阱层由交替层叠的量子阱层和第一量子垒层组成。量子阱层具体包括依次层叠的第一 GaN 层、第一 InGaN 层、InxGa1‑xN 层和 AlN 层；第一量子垒层则由依次层叠的第一 AlGaN 层、N 型 AlαGa1‑αN 层、非掺杂 AlaGa1‑aN 层、N 型 AlβGa1‑βN 层和第二 GaN 层构成。在这一结构中，第一 InGaN 层里 In 组分占比呈递增变化，且其最大值≤x；第一 AlGaN 层中 Al 组分呈递减变化，且其最小值≥α。​
而 “高光效 Micro - LED 外延片及其制备方法、Micro - LED” 专利中的 Micro‑LED 外延片结构依次为衬底、缓冲层、非掺杂 GaN 层、N 型 GaN 层、多量子阱层、空穴扩展层、空穴存储层和空穴层。空穴扩展层呈周期性结构，每个周期都包含依次层叠的 BN 层和 Mg 轻掺 GaN 层；空穴存储层同样是周期性结构，每个周期依次层叠 GaN 层、InGaN 层和 Mg 掺 AlGaN 层；空穴层亦是周期性结构，每个周期依次层叠 P 型 BInGaN 层、Mg3N2 层和 P 型 GaN 层，并且 P 型 GaN 层的掺杂浓度≥1×1019cm‑3。这些精心设计的结构，为提升 Micro - LED 的发光效率提供了创新路径。​
高科华烨：公布 Micro MIP 器件制备新方法​
3 月 28 日，山西高科华烨电子集团有限公司一项关于 “一种量子点 Micro MIP 器件制备方法” 的专利进入授权阶段。该专利归属于半导体显示技术领域，其制备方法包含多个关键步骤：​

1. S1、准备原材料：为后续制备流程奠定基础，确保材料的精准选用。​

2. S2、蓝宝石涂布：对蓝宝石进行特定涂布处理，为后续工艺做准备。​

3. S3、巨量转移：运用先进的巨量转移技术，高效实现芯片转移。​

4. S4、量子点槽：构建量子点槽，为量子点的安置提供合适空间。​

5. S5、量子点喷涂：将量子点精准喷涂至对应位置。​

6. S6、量子点封装：对量子点进行封装，保障其性能稳定。​

7. S7、激光剥离：利用激光剥离技术，精准处理芯片封装环节。​

8. S8、RDL 封装：进行 RDL 封装，进一步完善器件封装工艺。​

9. S9、器件切割：对器件进行切割，使其符合应用尺寸要求。​

10. S10、器件分测：对制备完成的器件进行分测，确保产品质量。​

该发明将蓝光 Micro COW 与量子点材料相结合，成功实现色彩转换，可生成红光与绿光，大幅提高了显示器件的色彩饱和度与细腻度，显著提升整体显示画质。同时，巨量转移技术和激光剥离技术的应用，使得芯片转移和封装过程更加高效、精确，有效降低制造过程中的损耗，有助于控制制造成本。此外，经过优化的器件切割和封装工艺，在保证器件性能和质量的同时，还提高了生产效率。​
高科视像：推出全彩 Micro LED 器件专利​

3 月 11 日，山西高科视像科技有限公司的 “一种单片集成共阴全彩 MicroLED 器件的制备方法” 发明专利进入实质审查阶段。该发明属于 Micro LED 显示技术领域，其独特制备流程如下：首先，将石墨烯量子点喷涂到 Micro LED 发光器件表面，形成量子点涂层；接着，将量子点涂层平均划分为红光石墨烯量子点涂层区域、绿光石墨烯量子点涂层区域和蓝光石墨烯量子点涂层区域；随后，先让红光石墨烯量子点涂层区域与 N 元素掺杂剂接触，再使待掺杂的绿光石墨烯量子点涂层区域与 N 元素掺杂剂接触，而蓝光石墨烯量子点涂层区域不与 N 元素掺杂剂接触。通过这样的工艺，该发明能够利用一张量子点涂层实现红、绿、蓝三色光的转换，此举有效降低了 RGB 全彩化工艺难度，规避了高成本返修问题，同时提高了显示的均匀性，为全彩 Micro LED 器件的制备提供了创新性解决方案。​
随着兆驰半导体、高科华烨、高科视像等企业在 Micro LED 专利技术上的不断突破与公示，有望引领 Micro LED 行业迈向技术创新的新高度，推动整个行业在显示技术、生产工艺等多方面实现跨越式发展，为相关产品的性能提升、成本控制以及市场拓展带来积极影响。