Micro LED芯片最新进度！4家单位披露

近期通过企查查了解到，芯元基、镭昱光电、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、武汉大学等单位均发布了Micro LED相关专利，及最新进展。

镭昱光电：microled微显示芯片及其制造方法

9月8日，镭昱光电科技(苏州)有限公司公布了“MicroLED微显示芯片及其制造方法”的发明专利，目前处于授权阶段。

本申请公开了MicroLED微显示芯片及其制造方法，MicroLED微显示芯片包括驱动基板、多个LED单元，每一LED单元被单独驱动；台阶结构至少使相邻LED单元的第二掺杂型半导体层彼此断开且电隔离。

第一钝化层覆盖LED单元，暴露对应的第一触点，第二开孔暴露对应的LED单元的第二掺杂型半导体层；彼此断开且电隔离的金属反射罩，覆盖第一钝化层，金属反射罩与对应的LED单元的第二掺杂型半导体层电性连接，金属反射罩通过第一开孔与对应的第一触点电性连接。

本申请通过金属反射罩来调整LED发光角度，降低像素间光学串扰；金属反射罩连接到第一触点和第二掺杂型半导体层，能够降低LED像素电阻，减小了整体功耗。

中国科学院长春某研究所：一种高光效MicroLED芯片

9月15日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发布了“一种高光效MicroLED芯片”，目前处于“申请公布”阶段。

本发明涉及一种高光效Micro LED芯片，属于Micro LED芯片技术领域。解决了现有技术中Micro LED芯片的出光效率低，且散热效果有待进一步提升的技术问题。本发明的Micro LED芯片，包括PN结、第二电极、第一电极、介质层和透明电极；

其中，PN结为N个，且均为倒梯形结构，固定在驱动电路基板的上表面上，且每个PN结通过一个第二电极与一个驱动电路基板的电极连接；第一电极为共电极，通过透明电极与N个PN结均连接，介质层将第一电极和第二电极隔离。

该Micro LED芯片，通过倒梯形的电极反射，一方面调控了LED的出光角度，增加了LED的出光效率；另一方面增加了第一电极的面积，有效提高电流的扩展能力，提高了器件的散热效果。

武汉大学：一种MicroLED芯片及其制造方法

8月22日，武汉大学公布了“一种MicroLED芯片及其制造方法”，该专利目前处于授权阶段。

本发明属于显示技术领域，公开了一种MicroLED芯片及其制造方法。

本发明提供的MicroLED芯片的芯片形状为三角形，芯片结构为薄膜倒装结构，且包括图形化双层金属电极，相比于常规芯片结构具有更高的比表面积，且n型电极的分布得到优化，能够有效减少n型电极附近的电流聚集效应、降低n型半导体层的有效电阻，能够明显改善芯片的热量累积效应。

芯元基：一种Micro LED显示器件和Micro LED芯片

9月8日，上海芯元基半导体科技有限公司公布“一种MicroLED显示器件和MicroLED芯片”发明专利，该专利进入授权阶段。

本实用新型提供了一种MicroLED显示器件和MicroLED芯片。

其中，MicroLED显示器件包括MicroLED芯片和CMOS驱动芯片，MicroLED芯片包括依次堆叠的第一绝缘层、第一ITO膜层以及所述MicroLED芯片与CMOS驱动芯片键合后分割出的若干像素点，第一绝缘层中分布多个P电极金属柱，CMOS驱动芯片包括若干正电极金属层，每一正电极金属层分别与若干的P电极金属柱电连接，以使MicroLED芯片与CMOS驱动芯片键合；

若干像素点间隔设置在第一ITO膜层上，正电极金属层与像素点一一对应设置。MicroLED芯片在与CMOS驱动芯片做像素对准键合工艺时，在像素点分割出来之前，先通过多个P电极金属柱与CMOS驱动芯片进行无差别的粗对准键合，因此，对准精度要求可以降低至200μm，大大降低了像素对准键合工艺的制作难度。